以是研究職員出力升高在芯片內(nèi)引入光子元件所需增長(zhǎng)的老本以及可能招致的殘次品率。以是.他們?cè)谖g刻環(huán)形調(diào)制器 、林良光探測(cè)器、林良垂直耦合器等光子元件時(shí)盡可能天時(shí)用硅鍺晶體管 、多晶硅和單晶硅層的特征.以晶體管的管體充任波導(dǎo)管